Справочник MOSFET. CEU12N10L

 

CEU12N10L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU12N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU12N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  cet
 ceu12n10l ced12n10l.pdf pdf_icon

CEU12N10L

CED12N10L/CEU12N10LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 11A, RDS(ON) = 175m @VGS = 10V. RDS(ON) = 185m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability. DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MA

 6.1. Size:410K  cet
 ceu12n10 ced12n10.pdf pdf_icon

CEU12N10L

CED12N10/CEU12N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 11A, RDS(ON) = 180m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

 6.2. Size:411K  cet
 ced12n10 ceu12n10.pdf pdf_icon

CEU12N10L

CED12N10/CEU12N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 11A, RDS(ON) = 180m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

 6.3. Size:847K  cn vbsemi
 ceu12n10.pdf pdf_icon

CEU12N10L

CEU12N10www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HAT2210R | P0804BD

 

 
Back to Top

 


 
.