CEU12N10L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU12N10L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU12N10L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU12N10L даташит

 ..1. Size:571K  cet
 ceu12n10l ced12n10l.pdf pdf_icon

CEU12N10L

CED12N10L/CEU12N10L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 11A, RDS(ON) = 175m @VGS = 10V. RDS(ON) = 185m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MA

 6.1. Size:410K  cet
 ceu12n10 ced12n10.pdf pdf_icon

CEU12N10L

CED12N10/CEU12N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 11A, RDS(ON) = 180m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

 6.2. Size:411K  cet
 ced12n10 ceu12n10.pdf pdf_icon

CEU12N10L

CED12N10/CEU12N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 11A, RDS(ON) = 180m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

 6.3. Size:847K  cn vbsemi
 ceu12n10.pdf pdf_icon

CEU12N10L

CEU12N10 www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 0.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEU04N6, CEU04N65, CEU04N7G, CEU05N65, CEU06N7, CEU07N65A, CEU08N6A, CEU12N10, 5N65, CEU14G04, CED16N10, CED16N10L, CED21A2, CED25N15L, CED3060, CED3100, CED3120