Справочник MOSFET. CEU3100

 

CEU3100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU3100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU3100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU3100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  cet
 ceu3100 ced3100.pdf pdf_icon

CEU3100

CED3100/CEU3100N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 51A , RDS(ON) = 10m @VGS = 10V. RDS(ON) = 17m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

 9.1. Size:409K  cet
 ced3120 ceu3120.pdf pdf_icon

CEU3100

CED3120/CEU3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A , RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

 9.2. Size:414K  cet
 ceu3172 ced3172.pdf pdf_icon

CEU3100

CED3172/CEU3172N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

 9.3. Size:409K  cet
 ceu3120 ced3120.pdf pdf_icon

CEU3100

CED3120/CEU3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A , RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L , CEU3060 , RU6888R , CEU3120 , CEU3172 , CEU3252 , CEU4060A , CEU4060AL , CEU40N10 , CEU4204 , CEU540L .

History: JCS86N25ABT | RJK2006DPF | ELM14606AA | KQS4900

 

 
Back to Top

 


 
.