Справочник MOSFET. CEU3172

 

CEU3172 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU3172
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU3172 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  cet
 ceu3172 ced3172.pdf pdf_icon

CEU3172

CED3172/CEU3172N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:409K  cet
 ced3120 ceu3120.pdf pdf_icon

CEU3172

CED3120/CEU3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A , RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

 9.2. Size:409K  cet
 ceu3120 ced3120.pdf pdf_icon

CEU3172

CED3120/CEU3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 36A , RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

 9.3. Size:408K  cet
 ceu3100 ced3100.pdf pdf_icon

CEU3172

CED3100/CEU3100N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 51A , RDS(ON) = 10m @VGS = 10V. RDS(ON) = 17m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L , CEU3060 , CEU3100 , CEU3120 , STP65NF06 , CEU3252 , CEU4060A , CEU4060AL , CEU40N10 , CEU4204 , CEU540L , CEU540N , CEU55N10 .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.