CEU830G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEU830G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для CEU830G
CEU830G Datasheet (PDF)
ceu830g ced830g.pdf

CED830G/CEU830GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES500V, 4.5A, RDS(ON) = 1.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25
ced83a3g ceu83a3g.pdf

CED83A3G/CEU83A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 93A, RDS(ON) = 4.2m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX
ceu83a3g ced83a3g.pdf

CED83A3G/CEU83A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 93A, RDS(ON) = 4.2m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX
ceu83a3 ced83a3.pdf

CED83A3/CEU83A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 80A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM R
Другие MOSFET... CEU630N , CEU6336 , CEU6426 , CEU655 , CEU730G , CEU73A3G , CEU740A , CEU75A3 , IRF3205 , CEU83A3 , CEU83A3G , CEU840A , CEU84A4 , CEU85A3 , CEU93A3 , CEUF634 , CEUF640 .
History: MMP3443 | SIHFI614G | DACMI450N120BZK3 | 2SK1500 | NTJS3157NT1G | SIR798DP | BLP039N08-B
History: MMP3443 | SIHFI614G | DACMI450N120BZK3 | 2SK1500 | NTJS3157NT1G | SIR798DP | BLP039N08-B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor