Справочник MOSFET. CEU830G

 

CEU830G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU830G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU830G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU830G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cet
ceu830g ced830g.pdfpdf_icon

CEU830G

CED830G/CEU830GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES500V, 4.5A, RDS(ON) = 1.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

 9.1. Size:380K  cet
ced83a3g ceu83a3g.pdfpdf_icon

CEU830G

CED83A3G/CEU83A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 93A, RDS(ON) = 4.2m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX

 9.2. Size:393K  cet
ceu83a3g ced83a3g.pdfpdf_icon

CEU830G

CED83A3G/CEU83A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 93A, RDS(ON) = 4.2m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX

 9.3. Size:234K  cet
ceu83a3 ced83a3.pdfpdf_icon

CEU830G

CED83A3/CEU83A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 80A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM R

Другие MOSFET... CEU630N , CEU6336 , CEU6426 , CEU655 , CEU730G , CEU73A3G , CEU740A , CEU75A3 , IRF3205 , CEU83A3 , CEU83A3G , CEU840A , CEU84A4 , CEU85A3 , CEU93A3 , CEUF634 , CEUF640 .

History: TSM4N90CZ | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | IRFP9133 | RHP030N03T100 | AM5931P

 

 
Back to Top

 


 
.