CEU83A3 - аналоги и даташиты транзистора

 

CEU83A3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEU83A3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU83A3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU83A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  cet
 ceu83a3 ced83a3.pdf pdf_icon

CEU83A3

CED83A3/CEU83A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 80A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM R

 0.1. Size:380K  cet
 ced83a3g ceu83a3g.pdf pdf_icon

CEU83A3

CED83A3G/CEU83A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 93A, RDS(ON) = 4.2m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX

 0.2. Size:393K  cet
 ceu83a3g ced83a3g.pdf pdf_icon

CEU83A3

CED83A3G/CEU83A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 93A, RDS(ON) = 4.2m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX

 9.1. Size:394K  cet
 ceu830g ced830g.pdf pdf_icon

CEU83A3

CED830G/CEU830GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES500V, 4.5A, RDS(ON) = 1.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEU6336 , CEU6426 , CEU655 , CEU730G , CEU73A3G , CEU740A , CEU75A3 , CEU830G , IRF740 , CEU83A3G , CEU840A , CEU84A4 , CEU85A3 , CEU93A3 , CEUF634 , CEUF640 , CED73A3G .

History: FCPF125N65S3 | ST3413A

 

 
Back to Top

 


 
.