CEU84A4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEU84A4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для CEU84A4
CEU84A4 Datasheet (PDF)
ceu84a4 ced84a4.pdf
CED84A4/CEU84A4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 80A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V.RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU
ceu840a ced840a.pdf
CED840A/CEU840AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES500V, 7.5A, RDS(ON) = 0.85 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25
Другие MOSFET... CEU730G , CEU73A3G , CEU740A , CEU75A3 , CEU830G , CEU83A3 , CEU83A3G , CEU840A , IRF540N , CEU85A3 , CEU93A3 , CEUF634 , CEUF640 , CED73A3G , CED740A , CED75A3 , CED830G .
History: FDD6682 | RSR010N10FHA | VBZE30N02 | IRFZ48 | VBZE30N06 | VBZE30N03
History: FDD6682 | RSR010N10FHA | VBZE30N02 | IRFZ48 | VBZE30N06 | VBZE30N03
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852



