Справочник MOSFET. CED84A4

 

CED84A4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED84A4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CED84A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  cet
 ceu84a4 ced84a4.pdf pdf_icon

CED84A4

CED84A4/CEU84A4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 80A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V.RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

 9.1. Size:398K  cet
 ceu840a ced840a.pdf pdf_icon

CED84A4

CED840A/CEU840AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES500V, 7.5A, RDS(ON) = 0.85 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: UTT18P10L-TA3-T | BUK7Y19-100E | CEF30N3 | UT75N03 | HUF76409P3 | SWP088R08E8T | CEB85A3

 

 
Back to Top

 


 
.