CED84A4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED84A4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для CED84A4
CED84A4 Datasheet (PDF)
ceu84a4 ced84a4.pdf
CED84A4/CEU84A4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 80A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V.RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU
ceu840a ced840a.pdf
CED840A/CEU840AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES500V, 7.5A, RDS(ON) = 0.85 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25
Другие MOSFET... CEUF640 , CED73A3G , CED740A , CED75A3 , CED830G , CED83A3 , CED83A3G , CED840A , IRFB4227 , CED85A3 , CED93A3 , CEDF634 , CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet



