CED84A4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED84A4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED84A4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED84A4 даташит

 ..1. Size:408K  cet
 ceu84a4 ced84a4.pdf pdf_icon

CED84A4

CED84A4/CEU84A4 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 80A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMU

 9.1. Size:398K  cet
 ceu840a ced840a.pdf pdf_icon

CED84A4

CED840A/CEU840A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 500V, 7.5A, RDS(ON) = 0.85 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

Другие IGBT... CEUF640, CED73A3G, CED740A, CED75A3, CED830G, CED83A3, CED83A3G, CED840A, IRFB4227, CED85A3, CED93A3, CEDF634, CEDF640, CEE02N6A, CEE02N6G, CEG2288, CEG8205A