Справочник MOSFET. CEDF640

 

CEDF640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEDF640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CEDF640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEDF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  cet
 ceuf640 cedf640.pdf pdf_icon

CEDF640

CEDF640/CEUF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES200V, 15A, RDS(ON) = 0.15 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

 9.1. Size:390K  cet
 ceuf634 cedf634.pdf pdf_icon

CEDF640

CEDF634/CEUF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES250V, 6.7A, RDS(ON) = 450m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK) STO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

Другие MOSFET... CED830G , CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 , CED85A3 , CED93A3 , CEDF634 , IRFP250N , CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 .

History: SI2301CDS | SSM4500GM | HSS3400A | DH60N06 | NVD5117PL | AON7532E

 

 
Back to Top

 


 
.