CEDF640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEDF640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CEDF640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEDF640 даташит

 ..1. Size:368K  cet
 ceuf640 cedf640.pdf pdf_icon

CEDF640

CEDF640/CEUF640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 200V, 15A, RDS(ON) = 0.15 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

 9.1. Size:390K  cet
 ceuf634 cedf634.pdf pdf_icon

CEDF640

CEDF634/CEUF634 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 250V, 6.7A, RDS(ON) = 450m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) S TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

Другие IGBT... CED830G, CED83A3, CED83A3G, CED840A, CED84A4, CED85A3, CED93A3, CEDF634, IRFB4115, CEE02N6A, CEE02N6G, CEG2288, CEG8205A, CEG8208, CEH2288, CEH2310, CEH2316