Справочник MOSFET. CEDF640

 

CEDF640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEDF640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEDF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  cet
 ceuf640 cedf640.pdf pdf_icon

CEDF640

CEDF640/CEUF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES200V, 15A, RDS(ON) = 0.15 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

 9.1. Size:390K  cet
 ceuf634 cedf634.pdf pdf_icon

CEDF640

CEDF634/CEUF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES250V, 6.7A, RDS(ON) = 450m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK) STO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HUF75339S3ST | UT4957 | SVG087R0NT | UTT108N03 | CEDM8001 | CEDM7001 | CEB730G

 

 
Back to Top

 


 
.