CEH2316 - аналоги и даташиты транзистора

 

CEH2316 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEH2316
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для CEH2316

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEH2316 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  cet
 ceh2316.pdf pdf_icon

CEH2316

CEH2316N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 6A , RDS(ON) = 34m @VGS = 10V. RDS(ON) = 50m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.D(1,2,5,6,)Lead free product is acquired.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit

 8.1. Size:340K  cet
 ceh2313.pdf pdf_icon

CEH2316

CEH2313P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -4.6A, RDS(ON) = 60m @VGS = -10V. RDS(ON) = 90m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.D(1,2,5,6,)Lead free product is acquired.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol

 8.2. Size:1163K  cet
 ceh2310.pdf pdf_icon

CEH2316

CEH2310N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 6.2A , RDS(ON) = 33m @VGS = 10V. RDS(ON) = 38m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 50m @VGS = 2.5V. RDS(ON) = 60m @VGS = 1.8V. D(1,2,5,6,)High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead-free plating ; RoHS compliant.45TSOP-6 package.6G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE

 9.1. Size:446K  cet
 ceh2321.pdf pdf_icon

CEH2316

CEH2321P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -4.8A, RDS(ON) = 55m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 62m @VGS = -2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.D(1,2,5,6,)Lead-free plating ; RoHS compliant.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , 2N7000 , CEH2609 , CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A , CEM0215 , CEM0310 .

History: INJ0002AC1 | KHB4D0N80P1 | H5N5006LD

 

 
Back to Top

 


 
.