CEK01N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEK01N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm
Тип корпуса: TO92
Аналог (замена) для CEK01N65
CEK01N65 Datasheet (PDF)
cek01n65.pdf

CEK01N65PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 0.35A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParamet
cek01n65a.pdf

CEK01N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 0.3A, RDS(ON) = 15 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit
cek01n6g.pdf

CEK01N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1A, RDS(ON) = 9.3 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit U
cek01n7.pdf

CEK01N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 0.3A, RDS(ON) = 18 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit U
Другие MOSFET... CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 , 12N60 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A , CEM0215 , CEM0310 , CEM0410 , CEM0415 .
History: VS2N7002K | SGSP317 | IRF623FI | IPB08CNE8NG | AP4434AGYT-HF | PS75N75A | BVSS123L
History: VS2N7002K | SGSP317 | IRF623FI | IPB08CNE8NG | AP4434AGYT-HF | PS75N75A | BVSS123L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750