CEK01N6G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEK01N6G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для CEK01N6G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEK01N6G даташит

 ..1. Size:398K  cet
 cek01n6g.pdf pdf_icon

CEK01N6G

CEK01N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V, 1A, RDS(ON) = 9.3 @VGS = 10V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package. G G D G S D S TO-92(Ammopack) TO-92(Bulk) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit U

 7.1. Size:369K  cet
 cek01n65a.pdf pdf_icon

CEK01N6G

CEK01N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 0.3A, RDS(ON) = 15 @VGS = 10V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package. G G D G S D S TO-92(Ammopack) TO-92(Bulk) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit

 7.2. Size:1219K  cet
 cek01n65.pdf pdf_icon

CEK01N6G

CEK01N65 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 0.35A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package. G G D G S D S TO-92(Ammopack) TO-92(Bulk) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Paramet

 8.1. Size:629K  cet
 cek01n7.pdf pdf_icon

CEK01N6G

CEK01N7 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 700V, 0.3A, RDS(ON) = 18 @VGS = 10V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package. G G D G S D S TO-92(Ammopack) TO-92(Bulk) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit U

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEG8205A, CEG8208, CEH2288, CEH2310, CEH2316, CEH2609, CEK01N65, CEK01N65A, IRF9540N, CEK01N7, CEK7002A, CEM0215, CEM0310, CEM0410, CEM0415, CEM1010, CEM2182