Справочник MOSFET. CEK01N6G

 

CEK01N6G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEK01N6G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEK01N6G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  cet
cek01n6g.pdfpdf_icon

CEK01N6G

CEK01N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1A, RDS(ON) = 9.3 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit U

 7.1. Size:369K  cet
cek01n65a.pdfpdf_icon

CEK01N6G

CEK01N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 0.3A, RDS(ON) = 15 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit

 7.2. Size:1219K  cet
cek01n65.pdfpdf_icon

CEK01N6G

CEK01N65PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 0.35A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParamet

 8.1. Size:629K  cet
cek01n7.pdfpdf_icon

CEK01N6G

CEK01N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 0.3A, RDS(ON) = 18 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit U

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSM6K404TU | STB18NF25 | PDD6902 | NTMD6P02R2 | SSB80R180S2 | KPA1890 | STD28P3LLH6

 

 
Back to Top

 


 
.