CEM3109. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM3109

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10(8) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170(255) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014(0.02) Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM3109

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM3109 даташит

 ..1. Size:615K  cet
 cem3109.pdf pdf_icon

CEM3109

CEM3109 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRELIMINARY FEATURES 30V, 10A, RDS(ON) = 14m @VGS = 10V. RDS(ON) = 20m @VGS = 4.5V. -30V, -8A, RDS(ON) = 20m @VGS = -10V. RDS(ON) = 30m @VGS = -4.5V. D1 D1 D2 D2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acquired.

 9.1. Size:505K  cet
 cem3138.pdf pdf_icon

CEM3109

CEM3138 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 30V, 9.1A, RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 21m @VGS = 4.5V. 30V, 6.9A, RDS(ON) = 26m @VGS = 10V. RDS(ON) = 35m @VGS = 4.5V. D1 D1 D2 D2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surface mount Pac

 9.2. Size:372K  cet
 cem3172.pdf pdf_icon

CEM3109

CEM3172 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 8.9A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis

 9.3. Size:387K  cet
 cem3120.pdf pdf_icon

CEM3109

CEM3120 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 10A, RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEM0415, CEM1010, CEM2182, CEM2539A, CEM26138, CEM2939, CEM3032, CEM3060, IRF1010E, CEM3120, CEA3252, CEB10N65, CEB12N65, CEC8218, CEF05N6, CEF10N65, CEF12N65