CEM3120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM3120

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM3120

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM3120 даташит

 ..1. Size:387K  cet
 cem3120.pdf pdf_icon

CEM3120

CEM3120 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 10A, RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise

 8.1. Size:273K  cet
 cem3128.pdf pdf_icon

CEM3120

CEM3128 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 9A, RDS(ON) = 16m @VGS = 10V. RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles

 8.2. Size:882K  cn vbsemi
 cem3128.pdf pdf_icon

CEM3120

CEM3128 www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.016 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested 30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.020 at VGS = 4.5 V 7.6 APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DC D 1 D 2 SO-8 S D

 9.1. Size:505K  cet
 cem3138.pdf pdf_icon

CEM3120

CEM3138 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 30V, 9.1A, RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 21m @VGS = 4.5V. 30V, 6.9A, RDS(ON) = 26m @VGS = 10V. RDS(ON) = 35m @VGS = 4.5V. D1 D1 D2 D2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surface mount Pac

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEM1010, CEM2182, CEM2539A, CEM26138, CEM2939, CEM3032, CEM3060, CEM3109, IRFB3607, CEA3252, CEB10N65, CEB12N65, CEC8218, CEF05N6, CEF10N65, CEF12N65, CEH8205