CEM3252. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM3252

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM3252

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM3252 даташит

 ..1. Size:390K  cet
 cem3252.pdf pdf_icon

CEM3252

CEM3252 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 7.5A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis

 ..2. Size:877K  cn vbsemi
 cem3252.pdf pdf_icon

CEM3252

CEM3252 www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch SO-

 0.1. Size:342K  cet
 cem3252l.pdf pdf_icon

CEM3252

CEM3252L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 30V, 8A, RDS(ON) = 29m @VGS = 10V. RDS(ON) = 36m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 55m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D D D D High power and current handing capability. 8 7 6 5 Lead free product is acquired. Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM

 8.1. Size:610K  cet
 cem3259.pdf pdf_icon

CEM3252

CEM3259 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 5 30V, 7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V. -30V, -5.9A, RDS(ON) = 36m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surfac

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEM7808, CEP10N65, CEP12N65, CES2336, CEM3128, CEM3138, CEM3172, CEM3178, 18N50, CEM3252L, CEM3254, CEM3258, CEM3259, CEM4042, CEM4204, CEM4228, CEM4269