Справочник MOSFET. CEM9936A

 

CEM9936A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM9936A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM9936A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM9936A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  cet
 cem9936a.pdf pdf_icon

CEM9936A

CEM9936ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES530V, 5.4A, RDS(ON) = 40m @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C

 ..2. Size:897K  cn vbsemi
 cem9936a.pdf pdf_icon

CEM9936A

CEM9936Awww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

 8.1. Size:141K  cet
 cem9935a.pdf pdf_icon

CEM9936A

CEM9935ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES520V, 6.0A, RDS(ON) = 36m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 75m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D28 7 6 5Lead free product is acquired.Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2AB

 9.1. Size:141K  cet
 cem9953a.pdf pdf_icon

CEM9936A

CEM9953ADual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES5-30V, -3.5A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 130m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEM8208 , CEM8809 , CEM8958 , CEM8958A , CEM8968 , CEM9436A , CEM9926A , CEM9935A , IRF740 , CEN7002A , CES2302 , CES2306 , CES2308 , CES2310 , CES2312 , CES2314 , CES2316 .

History: 2SK564 | P4506BD | SI7617DN | ME4972-G | PB606BA | OSG65R070PT3F | HAT1021R

 

 
Back to Top

 


 
.