Справочник MOSFET. CES2306

 

CES2306 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CES2306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для CES2306

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CES2306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:560K  cet
ces2306.pdfpdf_icon

CES2306

CES2306N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 3.6A, RDS(ON) = 60m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m @VGS = 2.5V. RDS(ON) = 100m @VGS = 1.8V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).DLead free product is acquired.Rugged and reliable.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Sy

 8.1. Size:493K  cet
ces2307.pdfpdf_icon

CES2306

CES2307P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -3.2A, RDS(ON) = 78m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Sourc

 8.2. Size:395K  cet
ces2301.pdfpdf_icon

CES2306

CES2301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -2.8A, RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 150m @VGS = -2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Sou

 8.3. Size:405K  cet
ces2302.pdfpdf_icon

CES2306

CES2302N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 3.0A, RDS(ON) = 72m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 110m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Lead free product is acquired.DRugged and reliable.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source V

Другие MOSFET... CEM8958A , CEM8968 , CEM9436A , CEM9926A , CEM9935A , CEM9936A , CEN7002A , CES2302 , IRF540 , CES2308 , CES2310 , CES2312 , CES2314 , CES2316 , CES2320 , CES2324 , CES2342 .

History: IRFS9N60A | CEF840A | SIA456DJ | BSH103 | CEFF640 | TJ70A06J3 | CEU07N65A

 

 
Back to Top

 


 
.