CEU4279. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU4279

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14(9) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11(3) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160(130) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO2524L

Аналог (замена) для CEU4279

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU4279 даташит

 ..1. Size:680K  cet
 ceu4279 ced4279.pdf pdf_icon

CEU4279

CED4279/CEU4279 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES D1/D2 40V , 14A , RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V. -40V , -9A , RDS(ON) = 72m @VGS = 10V. RDS(ON) = 110m @VGS = 4.5V. G1 G2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. S1 S2 D1/D2 Lead free product is acqui

 9.1. Size:405K  cet
 ceu4204 ced4204.pdf pdf_icon

CEU4279

CED4204/CEU4204 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 24A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

 9.2. Size:584K  cet
 ceu4269.pdf pdf_icon

CEU4279

CEU4269 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES D1/D2 40V , 14A , RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V. -40V , -12A , RDS(ON) = 45m @VGS = 10V. RDS(ON) = 65m @VGS = 4.5V. G1 G2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. S1 S2 D1/D2 Lead free product is acquired. S1

 9.3. Size:381K  cet
 ced4201 ceu4201.pdf pdf_icon

CEU4279

CED4201/CEU4201 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -28A, RDS(ON) = 26m @VGS = -10V. RDS(ON) = 36m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CES2342, CES2362, CET0215, CET04N10, CET3055L, CET3252, CET6426, CEU4269, IRFB4115, CEV2306, CEA6861, CEB05P03, CEB12P10, CEB14P20, CEB15P15, CEB20P06, CEB20P10