CEM4953H. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CEM4953H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для CEM4953H
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CEM4953H даташит
cem4953h.pdf
CEM4953H Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -4.5A, RDS(ON) = 64m @VGS = -10V. RDS(ON) = 95m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM
cem4953a.pdf
CEM4953A Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -4.5A, RDS(ON) = 58m @VGS = -10V. RDS(ON) = 85m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25
cem4948.pdf
CEM4948 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 -60V, -3.1A, RDS(ON) = 120m @VGS = -10V. RDS(ON) = 150m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =
Другие IGBT... CEM4201, CEM4207, CEM4301, CEM4311, CEM4435A, CEM4948, CEM4953, CEM4953A, IRFB31N20D, CEM6601, CEM6607, CEM6861, CEM6867, CEM8311, CEM8435A, CEM9407A, CEM9435
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor






