CEM9953A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM9953A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM9953A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM9953A даташит

 ..1. Size:141K  cet
 cem9953a.pdf pdf_icon

CEM9953A

CEM9953A Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 -30V, -3.5A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 130m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =

 8.1. Size:890K  cn vbsemi
 cem9956a.pdf pdf_icon

CEM9953A

CEM9956A www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

 9.1. Size:139K  cet
 cem9936a.pdf pdf_icon

CEM9953A

CEM9936A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 30V, 5.4A, RDS(ON) = 40m @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C

 9.2. Size:409K  cet
 cem9926a.pdf pdf_icon

CEM9953A

CEM9926A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 6A, RDS(ON) = 27m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEM6607, CEM6861, CEM6867, CEM8311, CEM8435A, CEM9407A, CEM9435, CEM9435A, AON7403, CEN2301, CEP05P03, CEP12P10, CEP14P20, CEP15P15, CEP20P06, CEP20P10, CEP30P03