CEU3301 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEU3301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для CEU3301
CEU3301 Datasheet (PDF)
ced3301 ceu3301.pdf

CED3301/CEU3301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -28A, RDS(ON) = 32m @VGS = -10V. RDS(ON) = 50m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX
Другие MOSFET... CET9435A , CEU05P03 , CEU11P20 , CEU12P10 , CEU20P06 , CEU20P10 , CEU2303 , CEU30P10 , IRF9540 , CEU3423 , CEU4201 , CEU4301 , CEU4311 , CEU6601 , CEU6861 , CEU95P04 , 2N7000A .
History: BUK7M6R0-40H | APT12M80S | VBTA161K | FQPF9N50YDTU | IXFH44N50P | HY3008PM | RS1E200GN
History: BUK7M6R0-40H | APT12M80S | VBTA161K | FQPF9N50YDTU | IXFH44N50P | HY3008PM | RS1E200GN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516