Справочник MOSFET. 2N7002KA

 

2N7002KA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N7002KA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для 2N7002KA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7002KA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  philips
2n7002ka.pdfpdf_icon

2N7002KA

2N7002KAN-channel TrenchMOS FETRev. 03 25 February 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Logic level compatible Very fast switching Subminiature surface-mounted package Gate-source ElectroStatic Discharge(ESD) protection diodes1

 ..2. Size:892K  mcc
2n7002ka.pdfpdf_icon

2N7002KA

2N7002KAFeatures High Density Cell Design for Low RDS(ON) Voltage Controlled Small Signal Switch ESD Protected up to 2KV (HBM) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingN-Channel Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering

 ..3. Size:552K  kec
2n7002ka.pdfpdf_icon

2N7002KA

2N7002KASEMICONDUCTORN Channel MOSFETTECHNICAL DATAESD Protected 2000VINTERFACE AND SWITCHING APPLICATION. FEATURESEL B LESD Protected 2000V.DIM MILLIMETERS_+High density cell design for low RDS(ON). A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15Voltage controlled small signal switch.C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Rugged and reliable.E 2.40+0.30/-0.201G 1.90

 0.1. Size:629K  cn wuxi unigroup
ttx2n7002ka.pdfpdf_icon

2N7002KA

TTX2N7002KA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) 2 ID (at VGS =10V) 0.35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... CEU4201 , CEU4301 , CEU4311 , CEU6601 , CEU6861 , CEU95P04 , 2N7000A , 2N7000K , SPP20N60C3 , KTJ6131E , KTJ6131V , KTJ6164S , KTK5131E , KTK5131S , KTK5131V , KTK5132E , KTK5132S .

History: ME4894-G | IRFS7530 | NCE20P05Y | FQAF70N15 | CEU95P04 | IPL60R299CP

 

 
Back to Top

 


 
.