KTK5131E - аналоги и даташиты транзистора

 

KTK5131E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KTK5131E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: ESM
 

 Аналог (замена) для KTK5131E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KTK5131E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  kec
 ktk5131e.pdf pdf_icon

KTK5131E

KTK5131ESEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EFEATURES BDIM MILLIMETERS2.5 Gate Drive._+A 1.60 0.10DLow Threshold Voltage : Vth=0.51.5V. _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10High Speed. 31D 0.27+0.10/-0.05_Small Package. E 1.60 0.10+_+1.00

 7.1. Size:440K  kec
 ktk5131s.pdf pdf_icon

KTK5131E

KTK5131SSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EL B LFEATURES DIM MILLIMETERS2.5 Gate Drive._+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V.C 1.30 MAX23High Speed. D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20Small Package. 1G 1.90H 0.95Enhanceme

 7.2. Size:84K  kec
 ktk5131v.pdf pdf_icon

KTK5131E

KTK5131VSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EFEATURES B2.5 Gate Drive.Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V.DIM MILLIMETERS2_High Speed. A 1.2 + 0.05_+B 0.8 0.05Small Package. 13 _C 0.5 + 0.05_+D 0.3 0.05Enhancement-Mode._+E 1.2 0.05_G 0.8 + 0.

 8.1. Size:85K  kec
 ktk5132v.pdf pdf_icon

KTK5131E

KTK5132VSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EFEATURES B2.5 Gate Drive.Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V.DIM MILLIMETERS2_High Speed. A 1.2 + 0.05_+B 0.8 0.05Small Package. 13 _C 0.5 + 0.05_+D 0.3 0.05Enhancement-Mode._+E 1.2 0.05_G 0.8 + 0.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEU6861 , CEU95P04 , 2N7000A , 2N7000K , 2N7002KA , KTJ6131E , KTJ6131V , KTJ6164S , SPP20N60C3 , KTK5131S , KTK5131V , KTK5132E , KTK5132S , KTK5132U , KTK5132V , KTK5133S , KTK5134S .

History: IPB407N30N | KTJ6164S | 2N7000K

 

 
Back to Top

 


 
.