Справочник MOSFET. KTK5131V

 

KTK5131V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KTK5131V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: VSM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KTK5131V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  kec
 ktk5131v.pdf pdf_icon

KTK5131V

KTK5131VSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EFEATURES B2.5 Gate Drive.Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V.DIM MILLIMETERS2_High Speed. A 1.2 + 0.05_+B 0.8 0.05Small Package. 13 _C 0.5 + 0.05_+D 0.3 0.05Enhancement-Mode._+E 1.2 0.05_G 0.8 + 0.

 7.1. Size:428K  kec
 ktk5131e.pdf pdf_icon

KTK5131V

KTK5131ESEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EFEATURES BDIM MILLIMETERS2.5 Gate Drive._+A 1.60 0.10DLow Threshold Voltage : Vth=0.51.5V. _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10High Speed. 31D 0.27+0.10/-0.05_Small Package. E 1.60 0.10+_+1.00

 7.2. Size:440K  kec
 ktk5131s.pdf pdf_icon

KTK5131V

KTK5131SSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EL B LFEATURES DIM MILLIMETERS2.5 Gate Drive._+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V.C 1.30 MAX23High Speed. D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20Small Package. 1G 1.90H 0.95Enhanceme

 8.1. Size:85K  kec
 ktk5132v.pdf pdf_icon

KTK5131V

KTK5132VSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EFEATURES B2.5 Gate Drive.Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V.DIM MILLIMETERS2_High Speed. A 1.2 + 0.05_+B 0.8 0.05Small Package. 13 _C 0.5 + 0.05_+D 0.3 0.05Enhancement-Mode._+E 1.2 0.05_G 0.8 + 0.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK2200 | IRFP150FI | STM8300 | SUP40P10-43 | RQ3E130MN | APT10050LVFR | SI1402DH

 

 
Back to Top

 


 
.