KTK5132S - описание и поиск аналогов

 

KTK5132S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTK5132S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для KTK5132S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KTK5132S даташит

 ..1. Size:430K  kec
ktk5132s.pdfpdf_icon

KTK5132S

KTK5132S SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS 2.5 Gate Drive. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Low Threshold Voltage Vth=0.5 1.5V. C 1.30 MAX 2 3 High Speed. D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 Small Package. 1 G 1.90 H 0.95

 7.1. Size:85K  kec
ktk5132v.pdfpdf_icon

KTK5132S

KTK5132V SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS E FEATURES B 2.5 Gate Drive. Low Threshold Voltage Vth=0.5 1.5V. DIM MILLIMETERS 2 _ High Speed. A 1.2 + 0.05 _ + B 0.8 0.05 Small Package. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ + D 0.3 0.05 Enhancement-Mode. _ + E 1.2 0.05 _ G 0.8 + 0.

 7.2. Size:428K  kec
ktk5132e.pdfpdf_icon

KTK5132S

KTK5132E SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS E FEATURES B DIM MILLIMETERS 2.5 Gate Drive. _ + A 1.60 0.10 D Low Threshold Voltage Vth=0.5 1.5V. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 High Speed. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ Small Package. E 1.60 0.10 + _ + 1.00

 7.3. Size:47K  kec
ktk5132u.pdfpdf_icon

KTK5132S

KTK5132U SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS 2.5 Gate Drive. _ A 2.00 0.20 + D 2 Low Threshold Voltage Vth=0.5 1.5V. _ B 1.25 + 0.15 _ + C 0.90 0.10 High Speed. 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E 2.10 + 0.20 Small Package. G 0.65

Другие MOSFET... 2N7002KA , KTJ6131E , KTJ6131V , KTJ6164S , KTK5131E , KTK5131S , KTK5131V , KTK5132E , 12N60 , KTK5132U , KTK5132V , KTK5133S , KTK5134S , KTK5162S , KTK5164S , KTK5164U , KF70N06F .

History: NCEP12T12 | JMTQ55P02A | STF11NM50N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.