Справочник MOSFET. KTK5132V

 

KTK5132V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KTK5132V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: VSM

 Аналог (замена) для KTK5132V

 

 

KTK5132V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  kec
 ktk5132v.pdf

KTK5132V KTK5132V

KTK5132VSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EFEATURES B2.5 Gate Drive.Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V.DIM MILLIMETERS2_High Speed. A 1.2 + 0.05_+B 0.8 0.05Small Package. 13 _C 0.5 + 0.05_+D 0.3 0.05Enhancement-Mode._+E 1.2 0.05_G 0.8 + 0.

 7.1. Size:428K  kec
 ktk5132e.pdf

KTK5132V KTK5132V

KTK5132ESEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EFEATURES BDIM MILLIMETERS2.5 Gate Drive._+A 1.60 0.10DLow Threshold Voltage : Vth=0.51.5V. _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10High Speed. 31D 0.27+0.10/-0.05_Small Package. E 1.60 0.10+_+1.00

 7.2. Size:47K  kec
 ktk5132u.pdf

KTK5132V KTK5132V

KTK5132USEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EFEATURES M B MDIM MILLIMETERS2.5 Gate Drive._A 2.00 0.20+D2Low Threshold Voltage : Vth=0.51.5V. _B 1.25 + 0.15_+C 0.90 0.10High Speed. 31D 0.3+0.10/-0.05_E 2.10 + 0.20Small Package. G 0.65

 7.3. Size:430K  kec
 ktk5132s.pdf

KTK5132V KTK5132V

KTK5132SSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EL B LFEATURES DIM MILLIMETERS2.5 Gate Drive._+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15Low Threshold Voltage : Vth=0.51.5V.C 1.30 MAX23High Speed. D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20Small Package. 1G 1.90H 0.95

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top