KTK5162S - описание и поиск аналогов

 

KTK5162S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTK5162S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для KTK5162S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KTK5162S даташит

 ..1. Size:41K  kec
ktk5162s.pdfpdf_icon

KTK5162S

KTK5162S SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS High Speed. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Small Package. C 1.30 MAX 2 3 Enhancement-Mode. D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00 0.10 P P

 8.1. Size:42K  kec
ktk5164u.pdfpdf_icon

KTK5162S

KTK5164U SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS 2.5 Gate Drive. _ A 2.00 0.20 + D 2 Low Threshold Voltage Vth=0.5 1.5V. _ B 1.25 + 0.15 _ + C 0.90 0.10 High Speed. 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E 2.10 + 0.20 Small Package. G 0.65

 8.2. Size:398K  kec
ktk5164s.pdfpdf_icon

KTK5162S

KTK5164S SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS 2.5 Gate Drive. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Low Threshold Voltage Vth=0.5 1.5V. C 1.30 MAX 2 3 High Speed. D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 Small Package. 1 G 1.90 H 0.95 Enhanceme

 9.1. Size:428K  kec
ktk5131e.pdfpdf_icon

KTK5162S

KTK5131E SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS E FEATURES B DIM MILLIMETERS 2.5 Gate Drive. _ + A 1.60 0.10 D Low Threshold Voltage Vth=0.5 1.5V. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 High Speed. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ Small Package. E 1.60 0.10 + _ + 1.00

Другие MOSFET... KTK5131S , KTK5131V , KTK5132E , KTK5132S , KTK5132U , KTK5132V , KTK5133S , KTK5134S , IRF530 , KTK5164S , KTK5164U , KF70N06F , KF70N06P , KF80N08F , KF80N08P , KMA010P20Q , KMA2D0DP20X .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.