Справочник MOSFET. KF70N06P

 

KF70N06P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KF70N06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 543 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для KF70N06P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF70N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  kec
 kf70n06p f.pdf pdf_icon

KF70N06P

KF70N06P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF70N06PAIts mainly suitable for low viltage applications such as automotive, OCDC/DC converters and a load switch in battery powered applicationsFE DIM MILLIMETERSG_+A 9.9 0.2BB 15.95 MAXFEATURES QC 1.3+0.1/-0.05_VDSS= 60V, ID= 70A (KF70N06P) I+D 0

Другие MOSFET... KTK5132U , KTK5132V , KTK5133S , KTK5134S , KTK5162S , KTK5164S , KTK5164U , KF70N06F , 20N50 , KF80N08F , KF80N08P , KMA010P20Q , KMA2D0DP20X , KMA2D4P20SA , KMA2D7DP20X , KMA2D8P20X , KMA3D0N20SA .

History: WMB020N03LG4

 

 
Back to Top

 


 
.