KMA2D0DP20X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KMA2D0DP20X  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KMA2D0DP20X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMA2D0DP20X даташит

 ..1. Size:418K  kec
 kma2d0dp20x.pdf pdf_icon

KMA2D0DP20X

SEMICONDUCTOR KMA2D0DP20X TECHNICAL DATA Dual P-CH Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications. A F 6 4 C B1 B E FEATURES 1 3 VDSS=-20V, ID=-2.0A. DIM MILLIMETERS Drain-Source ON Resistance. _ 2.926 + 0.05 A G RDS(ON)=130m (Max.) @ VGS=-4.5V. _ B 2.80 + 0.15 _ B1 1.626 + 0.05 RDS(ON)=190m (Max.) @

 9.1. Size:50K  kec
 kma2d8p20x.pdf pdf_icon

KMA2D0DP20X

SEMICONDUCTOR KMA2D8P20X TECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for battery pack or power management in cell phone, and PDA. D H FEATURES J VDSS=-20V, ID=-2.8A. E Drain-Source ON Resistance. DIM MILLIMETERS RDS(ON)=90m (Max.) @ VGS=-4.5V A _ 3.00 0.15 A + F RDS(ON)=150m (Max.) @ VGS=-2.5V _ 1.65 0.1 + B _ + 2.85 0.2 C

 9.2. Size:421K  kec
 kma2d7dp20x.pdf pdf_icon

KMA2D0DP20X

SEMICONDUCTOR KMA2D7DP20X TECHNICAL DATA Dual P-CH Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications. A G FEATURES 6 4 C VDSS=-20V, ID=-2.7A. F B1 B F1 Drain-Source ON Resistance. 1 3 RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=-4.5V. DIM MILLIMETERS RDS(ON)=175m (Max.) @ VGS=-2.5V. _ 3.05 + 0.1 A E _ 2.85 + 0.15 B _ 1

 9.3. Size:55K  kec
 kma2d4p20sa.pdf pdf_icon

KMA2D0DP20X

SEMICONDUCTOR KMA2D4P20SA TECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications. E FEATURES B VDSS=-20V, ID=-2.4A. DIM MILLIMETERS _ A 2.926 0.05 + Drain-Source ON Resistance. _ B 1.626 0.05 + C 1.25 MAX RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=-4.5V. 2 3 _ D 0.40 + 0.05 _ E 2.80 + 0.15 RDS(ON)=175m (M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KTK5162S, KTK5164S, KTK5164U, KF70N06F, KF70N06P, KF80N08F, KF80N08P, KMA010P20Q, CS150N04A8, KMA2D4P20SA, KMA2D7DP20X, KMA2D8P20X, KMA3D0N20SA, KMA3D6N20SA, KMA4D5P20X, KMA4D5P20XA, KMA5D8DP20Q