Справочник MOSFET. KMA2D0DP20X

 

KMA2D0DP20X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KMA2D0DP20X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для KMA2D0DP20X

 

 

KMA2D0DP20X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  kec
 kma2d0dp20x.pdf

KMA2D0DP20X KMA2D0DP20X

SEMICONDUCTOR KMA2D0DP20XTECHNICAL DATA Dual P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionIts mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications.AF6 4 CB1 B EFEATURES 1 3VDSS=-20V, ID=-2.0A.DIM MILLIMETERSDrain-Source ON Resistance._2.926 + 0.05AG: RDS(ON)=130m (Max.) @ VGS=-4.5V. _B 2.80 + 0.15_B1 1.626 + 0.05: RDS(ON)=190m (Max.) @

 9.1. Size:50K  kec
 kma2d8p20x.pdf

KMA2D0DP20X KMA2D0DP20X

SEMICONDUCTOR KMA2D8P20XTECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionIts mainly suitable for battery pack or power management in cell phone,and PDA.DHFEATURES JVDSS=-20V, ID=-2.8A.EDrain-Source ON Resistance.DIM MILLIMETERS: RDS(ON)=90m(Max.) @ VGS=-4.5VA_3.00 0.15A +F: RDS(ON)=150m(Max.) @ VGS=-2.5V _1.65 0.1+B_+2.85 0.2C

 9.2. Size:421K  kec
 kma2d7dp20x.pdf

KMA2D0DP20X KMA2D0DP20X

SEMICONDUCTOR KMA2D7DP20XTECHNICAL DATA Dual P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionIts mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications.AGFEATURES 6 4 CVDSS=-20V, ID=-2.7A.FB1 B F1Drain-Source ON Resistance.1 3: RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=-4.5V.DIM MILLIMETERS: RDS(ON)=175m (Max.) @ VGS=-2.5V._3.05 + 0.1AE_2.85 + 0.15B_1

 9.3. Size:55K  kec
 kma2d4p20sa.pdf

KMA2D0DP20X KMA2D0DP20X

SEMICONDUCTOR KMA2D4P20SATECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIts mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications.EFEATURES BVDSS=-20V, ID=-2.4A. DIM MILLIMETERS_A 2.926 0.05+Drain-Source ON Resistance._B 1.626 0.05+C 1.25 MAX: RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=-4.5V.23 _D0.40 + 0.05_E2.80 + 0.15: RDS(ON)=175m (M

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top