KMA2D7DP20X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KMA2D7DP20X
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для KMA2D7DP20X
KMA2D7DP20X Datasheet (PDF)
kma2d7dp20x.pdf
SEMICONDUCTOR KMA2D7DP20XTECHNICAL DATA Dual P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionIts mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications.AGFEATURES 6 4 CVDSS=-20V, ID=-2.7A.FB1 B F1Drain-Source ON Resistance.1 3: RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=-4.5V.DIM MILLIMETERS: RDS(ON)=175m (Max.) @ VGS=-2.5V._3.05 + 0.1AE_2.85 + 0.15B_1
kma2d8p20x.pdf
SEMICONDUCTOR KMA2D8P20XTECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionIts mainly suitable for battery pack or power management in cell phone,and PDA.DHFEATURES JVDSS=-20V, ID=-2.8A.EDrain-Source ON Resistance.DIM MILLIMETERS: RDS(ON)=90m(Max.) @ VGS=-4.5VA_3.00 0.15A +F: RDS(ON)=150m(Max.) @ VGS=-2.5V _1.65 0.1+B_+2.85 0.2C
kma2d0dp20x.pdf
SEMICONDUCTOR KMA2D0DP20XTECHNICAL DATA Dual P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionIts mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications.AF6 4 CB1 B EFEATURES 1 3VDSS=-20V, ID=-2.0A.DIM MILLIMETERSDrain-Source ON Resistance._2.926 + 0.05AG: RDS(ON)=130m (Max.) @ VGS=-4.5V. _B 2.80 + 0.15_B1 1.626 + 0.05: RDS(ON)=190m (Max.) @
kma2d4p20sa.pdf
SEMICONDUCTOR KMA2D4P20SATECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIts mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications.EFEATURES BVDSS=-20V, ID=-2.4A. DIM MILLIMETERS_A 2.926 0.05+Drain-Source ON Resistance._B 1.626 0.05+C 1.25 MAX: RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=-4.5V.23 _D0.40 + 0.05_E2.80 + 0.15: RDS(ON)=175m (M
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: MMN8804
History: MMN8804
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918