KMB060N60FA - аналоги и даташиты транзистора

 

KMB060N60FA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KMB060N60FA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO220IS
 

 Аналог (замена) для KMB060N60FA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB060N60FA Datasheet (PDF)

 5.1. Size:76K  kec
 kmb060n60pa fa.pdf pdf_icon

KMB060N60FA

KMB060N60PA/FASEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KMB060N60PAAIt s mainly suitable for low viltage applications such as automotive, OCDC/DC converters and a load switch in battery powered applicationsFE DIM MILLIMETERSG_+A 9.9 0.2BB 15.95 MAXFEATURES QC 1.3+0.1/-0.05_VDSS= 60V, ID= 60A I+D 0.8 0.1

 7.1. Size:53K  kec
 kmb060n40ba.pdf pdf_icon

KMB060N60FA

SEMICONDUCTOR KMB060N40BATECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionKLAThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheDIM MILLIMETERScharacteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and power_A 9.95 + 0.05B_B 9.2 + 0.1Supply.DC 8.00_15.3 0.2D +P

Другие MOSFET... KMB030N30D , KMB035N40DB , KMB050N60P , KMB050N60PA , KMB054N40DA , KMB054N40DB , KMB054N45DA , KMB060N40BA , NCEP15T14 , KMB060N60PA , KMB080N75PA , KMB2D0N60SA , KMB3D0P30SA , KMB3D5N40SA , KMB3D5PS30QA , KMB3D9N40TA , KMB4D0N30SA .

History: KMB060N40BA | STD5N52K3 | AP80T10GP | APT4M120K | SLF13N50C | SIR808DP | NCEP039N10MD

 

 
Back to Top

 


 
.