Справочник MOSFET. KMB3D5PS30QA

 

KMB3D5PS30QA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KMB3D5PS30QA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm
   Тип корпуса: FLP8

 Аналог (замена) для KMB3D5PS30QA

 

 

KMB3D5PS30QA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  kec
 kmb3d5ps30qa.pdf

KMB3D5PS30QA KMB3D5PS30QA

SEMICONDUCTOR KMB3D5PS30QATECHNICAL DATA SBD and P-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONIt is particularly suited for switching such as DC/DC Converters.It is driven as low as 4.5V and fast switching, high efficiency.HTFEATURES D PG LVDSS=-30V, ID=-3.5A.Drain-Source ON Resistance.ARDS(ON)=85m (Max.) @ VGS=-10VDIM MILLIMETERSA _+RDS(ON)=180m (Max.) @ VGS=-4.5V 4.8

 8.1. Size:59K  kec
 kmb3d5n40sa.pdf

KMB3D5PS30QA KMB3D5PS30QA

SEMICONDUCTOR KMB3D5N40SATECHNICAL DATAN-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheEcharacteristics. It is mainly suitable for Load switch and Back-LightL B LInverter.DIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/

 9.1. Size:55K  kec
 kmb3d0p30sa.pdf

KMB3D5PS30QA KMB3D5PS30QA

SEMICONDUCTOR KMB3D0P30SATECHNICAL DATAP-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingEtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheL B LDIM MILLIMETERScharacteristics. It is mainly suitable for portable equipment._+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30

 9.2. Size:522K  kec
 kmb3d9n40ta.pdf

KMB3D5PS30QA KMB3D5PS30QA

SEMICONDUCTOR KMB3D9N40TATECHNICAL DATAN-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheEcharacteristics. It is mainly suitable for Load switch and Back-LightBKDIM MILLIMETERSInverter._A 2.9 + 0.2B 1.6+0.2/-0.1_C 0.70 + 0.0523_D 0.4 + 0

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top