Справочник MOSFET. KMB4D5DN60QA

 

KMB4D5DN60QA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KMB4D5DN60QA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 34.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: FLP8

 Аналог (замена) для KMB4D5DN60QA

 

 

KMB4D5DN60QA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  kec
 kmb4d5dn60qa.pdf

KMB4D5DN60QA KMB4D5DN60QA

SEMICONDUCTOR KMB4D5DN60QATECHNICAL DATA Dual N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlysuitable for load switch and Back light inverter. HTD PG LFEATURES AVDSS=60V, ID=4.5A.DIM MILLIMETERSA _+Drain-Source ON

 8.1. Size:389K  kec
 kmb4d5np55q.pdf

KMB4D5DN60QA KMB4D5DN60QA

SEMICONDUCTOR KMB4D5NP55QTECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,portable equipment and battery powered systems.HTD P GLFEATURES N-ChannelA: VDSS=55V, ID=4.5A.DIM MILLIMETERS: RDS(ON)=60m (Max.) @ VGS=10VA 5.05+0.25/-0.20: RDS(ON)=95m (Max.) @

 9.1. Size:369K  kec
 kmb4d8dn55q.pdf

KMB4D5DN60QA KMB4D5DN60QA

SEMICONDUCTOR KMB4D8DN55QTECHNICAL DATA Dual N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,Hportable equipment and battery powered systems.TD P GLFEATURES AVDSS=55V, ID=4.8A.DIM MILLIMETERSLow Drain-Source ON Resistance.A 5.05+0.25/-0.20: RDS(ON)=50m (Max.) @ VGS=10V_3

 9.2. Size:57K  kec
 kmb4d0n30sa.pdf

KMB4D5DN60QA KMB4D5DN60QA

SEMICONDUCTOR KMB4D0N30SATECHNICAL DATAN-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheEcharacteristics. It is mainly suitable for portable equipment.L B LDIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAXFEATURES 23 D 0.40+0.15/-0.05

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SRT06N027HT

 

 
Back to Top