KMB8D2N60QA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KMB8D2N60QA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: FLP8
KMB8D2N60QA Datasheet (PDF)
kmb8d2n60qa.pdf

SEMICONDUCTOR KMB8D2N60QATECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlysuitable for Back-light Inverter. HTD PG LFEATURES VDSS=60V, ID=8.2A.ADrain-Source ON Resistance.DIM MILLIMETERSA _+RDS(ON)=
kmb8d0p30qa.pdf

SEMICONDUCTOR KMB8D0P30QATECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlyHsuitable for Load Switch and Battery pack.TD P GLUFEATURES AVDSS=-30V, ID=-8A.DIM MILLIMETERSDrain to Source On Resistanc
kmb8d0p30q.pdf

SEMICONDUCTOR KMB8D0P30QTECHNICAL DATAP-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for battery power management in cell phone,PDA and notebookHTD P GLFEATURES VDSS=-30V, ID=-8A.ALow Drain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=20m (Max.) @ VGS=-10VDIM MILLIMETERSA 5.05+0.25/-0.20: RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=-4.5V_3.90 + 0.3B18Super High Dense Cell
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SIE844DF | 15N45 | HMS35DN10DA | TSD5N50MR | SM3005NSF | RJK0632JPD | IPA50R299CP
History: SIE844DF | 15N45 | HMS35DN10DA | TSD5N50MR | SM3005NSF | RJK0632JPD | IPA50R299CP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080