Справочник MOSFET. KMB8D2N60QA

 

KMB8D2N60QA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KMB8D2N60QA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: FLP8

 Аналог (замена) для KMB8D2N60QA

 

 

KMB8D2N60QA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  kec
 kmb8d2n60qa.pdf

KMB8D2N60QA KMB8D2N60QA

SEMICONDUCTOR KMB8D2N60QATECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlysuitable for Back-light Inverter. HTD PG LFEATURES VDSS=60V, ID=8.2A.ADrain-Source ON Resistance.DIM MILLIMETERSA _+RDS(ON)=

 9.1. Size:801K  kec
 kmb8d0p30qa.pdf

KMB8D2N60QA KMB8D2N60QA

SEMICONDUCTOR KMB8D0P30QATECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlyHsuitable for Load Switch and Battery pack.TD P GLUFEATURES AVDSS=-30V, ID=-8A.DIM MILLIMETERSDrain to Source On Resistanc

 9.2. Size:717K  kec
 kmb8d0p30q.pdf

KMB8D2N60QA KMB8D2N60QA

SEMICONDUCTOR KMB8D0P30QTECHNICAL DATAP-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for battery power management in cell phone,PDA and notebookHTD P GLFEATURES VDSS=-30V, ID=-8A.ALow Drain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=20m (Max.) @ VGS=-10VDIM MILLIMETERSA 5.05+0.25/-0.20: RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=-4.5V_3.90 + 0.3B18Super High Dense Cell

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCE50NF330D | SM1F14NSFP

 

 
Back to Top