Справочник MOSFET. KF3N60D

 

KF3N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KF3N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для KF3N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF3N60D Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1008K  kec
 kf3n60d-i.pdf pdf_icon

KF3N60D

KF3N60D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF3N60DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andLC D_A 6.60 + 0.20switching mode power supp

 8.1. Size:94K  kec
 kf3n60p-f.pdf pdf_icon

KF3N60D

KF3N60P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF3N60PAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andE DIM MILLIMETERSG_switching mode power supplies. A 9.9

Другие MOSFET... KF3N40D , KF3N40I , KF3N40W , KF3N50DS , KF3N50DZ , KF3N50FS , KF3N50FZ , KF3N50IZ , STP80NF70 , KF3N60F , KF3N60I , KF3N60P , KF3N80F , KF4N20LD , KF4N20LI , KF4N20LW , KF4N65F .

History: FHP15N65A | STP8NM50N | HCD90R450 | STP19NM50N | DMT3006LPS-13 | MTA090P02J3 | WTX1012

 

 
Back to Top

 


 
.