KF5N50FZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KF5N50FZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 29 ns
Выходная емкость (Cd): 71 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.15 Ohm
Тип корпуса: TO220IS
KF5N50FZ Datasheet (PDF)
kf5n50fza-fsa.pdf
KF5N50FZA/FSASEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gatecharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forelectronic ballast and switching mode power supplies.FEATURES VDSS=
kf5n50f.pdf
KF5N50P/F/PZ/FZSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF5N50P, KF5N50PZAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andE DIM MILLIMETERSG_+switching mode pow
kf5n50fr kf5n50pr kf5n50ps.pdf
KF5N50PR/FR/PS/FSSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF5N50PR, KF5N50PSAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gateFcharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forE DIM MILLIMETERSG_+electronic
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
