KF5N65F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KF5N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 72 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO220IS
KF5N65F Datasheet (PDF)
kf5n65p-f.pdf
KF5N65P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF5N65PAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastOCswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gateFDIM MILLIMETERScharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forE _G A 9.9 + 0.2electronic ballast
kf5n65d-i.pdf
KF5N65D/I SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF5N65DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gateA KDIM MILLIMETERScharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20el
kf5n65i.pdf
KF5N65D/I SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF5N65DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gateA KDIM MILLIMETERScharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20el
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
