KF6N60D - аналоги и даташиты транзистора

 

KF6N60D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KF6N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для KF6N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF6N60D Datasheet (PDF)

 0.1. Size:482K  kec
 kf6n60d-i.pdf pdf_icon

KF6N60D

KF6N60D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF6N60DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSLC D_A 6.60 + 0.20avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and_B 6.10 + 0.20_C 5.

 8.1. Size:1221K  kec
 kf6n60p-f.pdf pdf_icon

KF6N60D

KF6N60P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF6N60PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS(Min.)= 600V, ID= 6A

Другие MOSFET... KF5N53FS , KF5N60D , KF5N60F , KF5N60FZ , KF5N60I , KF5N60P , KF5N65D , KF5N65F , AO3407 , KF6N60F , KF6N60I , KF7N50D , KF7N50F , KF7N50I , KF7N50P , KF7N60F , KF7N60P .

History: IXFK74N50P2 | MDF4N60TP | IRF640A | FXN28S50F

 

 
Back to Top

 


 
.