KHB4D0N80F2 - описание и поиск аналогов

 

KHB4D0N80F2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KHB4D0N80F2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220IS

Аналог (замена) для KHB4D0N80F2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB4D0N80F2 даташит

 5.1. Size:76K  kec
khb4d0n80p1 f1 f2.pdfpdf_icon

KHB4D0N80F2

KHB4D0N80P1/F1/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB4D0N80P1 A O C This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ A 9.9 + 0.2 avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and B B 15.95

 7.1. Size:497K  kec
khb4d0n65p f f2.pdfpdf_icon

KHB4D0N80F2

KHB4D0N65P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB4D0N65P A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ A 9.9 + 0.2 avalanche characteristics. It is mainly suitable for switch mode power B B 15.95 MAX Q

 9.1. Size:89K  kec
khb4d5n60p f f2.pdfpdf_icon

KHB4D0N80F2

KHB4D5N60P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB4D5N60P A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ A 9.9 + 0.2 avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode B B 15.95 MAX Q pow

Другие MOSFET... KHB3D0N70P , KHB3D0N90F1 , KHB3D0N90F2 , KHB3D0N90P1 , KHB4D0N65F , KHB4D0N65F2 , KHB4D0N65P , KHB4D0N80F1 , IRF4905 , KHB4D0N80P1 , KHB4D5N60F , KHB4D5N60F2 , KHB4D5N60P , KHB5D0N50F , KHB5D0N50F2 , KHB5D0N50P , KHB6D0N40F .

History: DMJ70H1D0SV3 | 1D5N60 | AGM60P90D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.