Справочник MOSFET. KHB7D5N60P1

 

KHB7D5N60P1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KHB7D5N60P1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 121.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для KHB7D5N60P1

 

 

KHB7D5N60P1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1323K  kec
 khb7d5n60p1 f1 f2.pdf

KHB7D5N60P1 KHB7D5N60P1

KHB7D5N60P1/F1/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB7D0N60P1This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorcorrection and switching mode power supplies.FEATURES VDSS

 9.1. Size:792K  kec
 khb7d0n65p1 f1 f2.pdf

KHB7D5N60P1 KHB7D5N60P1

KHB7D0N65P1/F1/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB7D0N65P1AOThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast CFswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentE DIM MILLIMETERSG_A 9.9 + 0.2avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorBB 15.95 MAX

 9.2. Size:1234K  kec
 khb7d0n80p1 f1.pdf

KHB7D5N60P1 KHB7D5N60P1

KHB7D0N80P1/F1SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitch mode power supplies.FEATURES VDSS=800V, ID=7ADrain-Source ON

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top