KU2310Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KU2310Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 14.6 ns
Выходная емкость (Cd): 729 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0036 Ohm
Тип корпуса: FLP8
KU2310Q Datasheet (PDF)
ku2310q.pdf
SEMICONDUCTOR KU2310QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlyHsuitable for DC/DC Converter and Battery pack.TD P GLUFEATURES AVDSS=30V, ID=19A.DIM MILLIMETERSDrain to Source On Resistance
ku2311q.pdf
SEMICONDUCTOR KU2311QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlyHsuitable for DC/DC Converter and Battery pack.TD P GLUFEATURES AVDSS=30V, ID=17A.DIM MILLIMETERSDrain to Source On Resistance
ku2311k.pdf
SEMICONDUCTOR KU2311KTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter.FEATURES VDSS=30V, ID=97A.Low Drain to Source On-state Resistance.: RDS(ON)=5.0m(Max.) @ VGS=10V: RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
