KHB019N20F2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KHB019N20F2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO220IS

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KHB019N20F2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB019N20F2 даташит

 ..1. Size:90K  kec
 khb019n20f2 khb019n20p1.pdf pdf_icon

KHB019N20F2

KHB019N20P1/F1/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB019N20P1 A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ A 9.9 + 0.2 avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC converters B B 15.95 MAX Q

 5.1. Size:497K  kec
 khb019n20p1 f1 f2.pdf pdf_icon

KHB019N20F2

KHB019N20P1/F1/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB019N20P1 A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ A 9.9 + 0.2 avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC converters B B 15.95 MAX Q

 9.1. Size:1322K  kec
 khb011n40f1 khb011n40f2 khb011n40p1.pdf pdf_icon

KHB019N20F2

KHB011N40P1/F1/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB011N40P1 This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES VDSS(Min.)= 400V

Другие IGBT... KMB8D0P30QA, KMD4D5P30XA, KTK951S, KTK921U, KHB011N40F1, KHB011N40F2, KHB011N40P1, KHB019N20F1, IRF740, KHB019N20P1, KHB1D0N60G, KHB1D0N60I, KHB1D2N80D, KHB1D2N80I, KHB7D0N65F1, KHB9D5N20F, KTK211