KHB019N20P1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KHB019N20P1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для KHB019N20P1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
KHB019N20P1 даташит
khb019n20p1 f1 f2.pdf
KHB019N20P1/F1/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB019N20P1 A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ A 9.9 + 0.2 avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC converters B B 15.95 MAX Q
khb019n20f2 khb019n20p1.pdf
KHB019N20P1/F1/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB019N20P1 A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ A 9.9 + 0.2 avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC converters B B 15.95 MAX Q
khb011n40f1 khb011n40f2 khb011n40p1.pdf
KHB011N40P1/F1/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB011N40P1 This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES VDSS(Min.)= 400V
Другие MOSFET... KMD4D5P30XA , KTK951S , KTK921U , KHB011N40F1 , KHB011N40F2 , KHB011N40P1 , KHB019N20F1 , KHB019N20F2 , 20N60 , KHB1D0N60G , KHB1D0N60I , KHB1D2N80D , KHB1D2N80I , KHB7D0N65F1 , KHB9D5N20F , KTK211 , KTK596 .
History: SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1 | IRFB4610
History: SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1 | IRFB4610
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf



