KTK597E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KTK597E
Маркировка: F*
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2500 Ohm
Тип корпуса: ESM
KTK597E Datasheet (PDF)
ktk597e.pdf
KTK597ESEMICONDUCTORN CHANNEL JUNCTION FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORCONDENSER MICROPHONE APPLICATION.FEATURESEEspecially Suited for Use in Audio, Telephone.BDIM MILLIMETERSCapacitor Microphones._+A 1.60 0.10DExcellent Voltage Characteristics. _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10Excellent Transient Characteristics.31D 0.27+0.10/-0.05_+E 1.60
ktk597v.pdf
KTK597VSEMICONDUCTORN CHANNEL JUNCTION FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORCONDENSER MICROPHONE APPLICATION.FEATURESEExpecially Suited for Use in Audio, Telephone.BCapacitor Microphones.Excellent Voltage Characteristics.DIM MILLIMETERS2_Excellent Transient Characteristics. A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.0513_C 0.5 + 0.05_D 0.3 + 0.05_E 1.2 + 0.05_G 0.
ktk597tv.pdf
KTK597TVSEMICONDUCTORN CHANNEL JUNCTION FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORCONDENSER MICROPHONE APPLICATION.FEATURESEEspecially Suited for Use in Audio, Telephone.BCapacitor Microphones.Excellent Voltage Characteristics.2Excellent Transient Characteristics.DIM MILLIMETERS_1 A 1.2 +0.053_B 0.8 +0.05_C 0.32 + 0.05_D 0.3 + 0.05_E 1.2 + 0.05MAXIM
ktk597.pdf
KTK597SEMICONDUCTORN CHANNEL JUNCTION FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORCONDENSER MICROPHONE APPLICATION.FEATURESEEspecially Suited for Use in Audio, Telephone.M B MDIM MILLIMETERSCapacitor Microphones._A 2.00 + 0.20D2Excellent Voltage Characteristics. _B 1.25 + 0.15_C 0.90 + 0.10Excellent Transient Characteristics.31D 0.3+0.10/-0.05_E
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918