H2N7002KSN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: H2N7002KSN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: SOT323
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
H2N7002KSN Datasheet (PDF)
h2n7002ksn.pdf

Spec. No. : MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.18 Revised Date :2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 33-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code: SN Pin 1: Gate 2: Source 3: DrainN-CHANNEL TRANSISTOR 21Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai
h2n7002k.pdf

Spec. No. : MOS200803 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.03.13 Revised Date :2010,03,04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002K N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage .........................................................................................................
h2n7002.pdf

Spec. No. : MOS200503 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.04.01 Revised Date : 2009.10.09 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002 N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ................................................................................................................
h2n7002sn.pdf

Spec. No. : MOS200605HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N7002SN Pin Assignment & SymbolH2N7002SN33-Lead Plastic SOT-323Package Code: SNN-Channel MOSFET (60V, 0.2A)Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain21DDescriptionGN-channel enhancement-mode MOS transistor.SAbsolute Maximum RatingsDrain-Source Vol
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: 2SK1953 | ZVP2120ASTOB | SI7636DP | RU190N10R | 2SK2288 | IRF1010ZLPBF | AFC6602
History: 2SK1953 | ZVP2120ASTOB | SI7636DP | RU190N10R | 2SK2288 | IRF1010ZLPBF | AFC6602



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551