HIRF840F - описание и поиск аналогов

 

Аналоги HIRF840F. Основные параметры


   Наименование производителя: HIRF840F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для HIRF840F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HIRF840F даташит

 7.1. Size:47K  hsmc
 hirf840.pdf pdf_icon

HIRF840F

Spec. No. MOS200505 HI-SINCERITY Issued Date 2005.06.01 Revised Date 2005.06.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF840 Series Pin Assignment HIRF840 / HIRF840F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast swi

 9.1. Size:46K  hsmc
 hirf830.pdf pdf_icon

HIRF840F

Spec. No. MOS200407 HI-SINCERITY Issued Date 2004.10.01 Revised Date 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF830 Series Pin Assignment HIRF830 / HIRF830F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast swi

Другие MOSFET... HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 , IRFP250N , BUZ11S2 , BUZ11S2FI , BUZ353 , BUZ354 , IRF152 , IRF521FI , IRF522FI , IRF523FI .

History: IRFZ48ZS

 

 

 


 
↑ Back to Top
.