BUZ11S2FI - описание и поиск аналогов

 

BUZ11S2FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ11S2FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для BUZ11S2FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ11S2FI даташит

 ..1. Size:384K  st
buz11s2 buz11s2fi.pdfpdf_icon

BUZ11S2FI

 7.1. Size:229K  inchange semiconductor
buz11s2.pdfpdf_icon

BUZ11S2FI

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ11S2 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.04 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High input impedance High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,re

 9.1. Size:116K  st
buz11a.pdfpdf_icon

BUZ11S2FI

BUZ11A N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ11A 50 V

 9.2. Size:173K  st
buz11.pdfpdf_icon

BUZ11S2FI

BUZ11 BUZ11FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ11 50 V

Другие MOSFET... HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 , IRF9540 , BUZ353 , BUZ354 , IRF152 , IRF521FI , IRF522FI , IRF523FI , IRF531FI , IRF532FI .

History: FDMS3602S | IRLR120PBF | AOD2544

 

 

 

 

↑ Back to Top
.