IRF743FI - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRF743FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IRF743FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для IRF743FI

IRF743FI Datasheet (PDF)

8.1. Size:164K international rectifier
irf7433pbf.pdf

PD - 95305IRF7433PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 24m@VGS = -4.5V -8.7Al Surface Mount30m@VGS = -2.5V -7.4Al Available in Tape & Reel46m@VGS = -1.8V -6.3Al Lead-FreeDescriptionA1 8S DThese P-Channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to 2 7S Dachieve

8.2. Size:149K international rectifier
irf7434.pdf

PD - 9.1709IRF7343PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFE TN-Ch P-Ch1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1 Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1 Surface Mount VDSS 55V -55V3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated4 5G2 D2P-C H ANN EL MO SFE TRDS(on) 0.050 0.105DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFETs from International Rectifie

8.3. Size:105K international rectifier
irf7433.pdf

PD -94056IRF7433HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 24m@VGS = -4.5V -8.7A Surface Mount30m@VGS = -2.5V -7.4A Available in Tape & Reel46m@VGS = -1.8V -6.3ADescriptionA1 8S DThese P-Channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to 2 7S Dachieve the extremely low on-

8.4. Size:482K st
irf740 irf741 irf742 irf743-fi.pdf