2SJ118. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SJ118
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 140 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для 2SJ118
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SJ118 даташит
2sj117.pdf
2SJ117 Silicon P-Channel MOS FET ADE-208-1180 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features High speed switching Good frequency characteristics Wide area of safe operation Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators. Outline TO-220AB D 1 2 3 1. Gate 2. Drain G (Flange) 3. Source S 2SJ117
Другие MOSFET... 2SJ104 , 2SJ107 , 2SJ108 , 2SJ109 , 2SJ113 , 2SJ115 , 2SJ116 , 2SJ117 , SKD502T , 2SJ119 , 2SJ130 , 2SJ175 , 2SJ181 , 2SJ244 , 2SJ307 , 2SJ317 , 2SJ319 .
History: WSF20N06 | 2SK2391 | WMLL010N04LG4
History: WSF20N06 | 2SK2391 | WMLL010N04LG4
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor





