2SJ307 - описание и поиск аналогов

 

2SJ307. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SJ307

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220ML

Аналог (замена) для 2SJ307

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ307 даташит

 ..1. Size:115K  sanyo
2sj307.pdfpdf_icon

2SJ307

Ordering number EN4317A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ307 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ307] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO T

 9.1. Size:335K  toshiba
2sj305.pdfpdf_icon

2SJ307

2SJ305 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ305 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Applications High input impedance Low gate threshold voltage. V = -0.5 -1.5 V th Excellent switching times. t = 0.06 s (typ.) on t = 0.15 s (typ.) off Low drain-source ON resistance R = 2.4 (typ.) DS (ON) Small packa

 9.2. Size:379K  toshiba
2sj304.pdfpdf_icon

2SJ307

2SJ304 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L - -MOSIV) 2SJ304 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 80 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 8.0 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-m

 9.3. Size:96K  sanyo
2sj308.pdfpdf_icon

2SJ307

Ordering number EN4318 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ308 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ308] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO-

Другие MOSFET... 2SJ116 , 2SJ117 , 2SJ118 , 2SJ119 , 2SJ130 , 2SJ175 , 2SJ181 , 2SJ244 , IRF1010E , 2SJ317 , 2SJ319 , 2SJ361 , 2SJ362 , 2SJ363 , 2SJ364 , 2SJ365 , 2SJ368 .

History: RU1H150S | NTD5804N | SI2313

 

 

 

 

↑ Back to Top
.