2SJ576. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SJ576
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
Тип корпуса: CMPAK
Аналог (замена) для 2SJ576
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SJ576 даташит
2sj576.pdf
To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog and discrete devices, and memory chips other than DRAM
2sj577.pdf
Ordering number ENN6411A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ577 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2093A Low-voltage drive. [2SJ577] 4.5 10.2 1.3 1.2 0.8 0.4 1 2 3 1 Gate 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO SMP unit mm 2090A [2SJ577] 10.2 4.5 1.3 1 2 3 0 to 0.3 0.8 1.2
2sj579.pdf
Ordering number ENN6384 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ579 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2062A 4V drive. [2SJ579] 4.5 1.5 1.6 0.4 0.5 3 2 1 0.4 1.5 3.0 1 Gate 0.75 2 Drain 3 Source SANYO PCP (Bottom view) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Par
2sj578.pdf
Ordering number ENN6408 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ578 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2062A 4V drive. [2SJ578] 4.5 1.5 1.6 0.4 0.5 3 2 1 0.4 1.5 3.0 0.75 1 Gate 2 Drain 3 Source SANYO PCP Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol C
Другие MOSFET... 2SJ368 , 2SJ387 , 2SJ399 , 2SJ451 , 2SJ48 , 2SJ49 , 2SJ50 , 2SJ574 , 10N65 , 2SJ590LS , 2SJ601 , 2SJ601Z , 2SJ74 , 2SK1016 , 2SK1082 , 2SK1086 , 2SK1093 .
History: RU1H150S | SI2313 | NTD5804N
History: RU1H150S | SI2313 | NTD5804N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313





